在1α，1β，1γ这三代中，三星在1α上就开始用EUV光刻工艺，但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产1β内存芯片则没有使用EUV工艺，避免了昂贵的光刻机。

    不使用EUV光刻，美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺，实现了35%的存储密度提升，同时省电15%。

    1β之后还有1γ工艺，估计会是12nm级别，制造难度更大，但美光依然没有明确是否使用EUV光刻机。而如今的1β内存，工艺水平相当于13nm。