可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大栅极至源极电压 (V_GS) 范围为-15V至+25V，适用于栅极电压达到-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A测试条件下的栅极电荷 (Q_g) 仅为200nC，在快速开关、大功率可再生能源应用中具有很高的效率。

NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (V_RRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且不会影响SiC的高效率。

无论是电动汽车充电站、利用可再生能源的电网，还是高压/大电流的工业驱动应用，安森美EliteSiC都能实现出色的效率，并降低功率损耗。