DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导热性 (R_θJC = 0.6°C/W)，非常适合用于在恶劣环境中运作的应用。这款 MOSFET 的 R_DS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅 52nC，可减少开关耗损与降低封装温度。

本产品是市场上首款采用 TO247-4 封装的碳化硅 MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到 MOSFET 的源极，以优化切换效能，达到更高的功率密度。