日前发布的光耦集成关断电路，典型关断时间为0.7ms，在SOP-4小型封装MOSFET驱动器中达到先进水平。此外，VOMDA127的导通时间为0.05ms，比接近的竞品快两倍，作为这一封装规格中的一款出色驱动器，其隔离电压和典型开路输出电压分别达到3750V和8.5V，适于各种MOSFET驱动应用。

器件通过AEC-Q102认证，适用于预充电电路、壁挂式充电器，以及电动 （EV）和混合动力（HEV）汽车电池管理系统（BMS）。为产生驱动这些应用中IGBT和SiC MOSFET的较高电压，可以串联使用两个VOMDA1271光耦。此外，采用这款新型驱动器，设计师在开发下一代汽车时，可以用定制固态继电器取代传统机电式继电器。

光隔离式VOMDA1271采用AIGaAs红外LED（IRLED），其发射光被光伏栅阵列吸收，产生MOSFET导通电压。这种结构不需要外部供电电源，因此简化设计并降低成本。该器件可由微控制器的GPIO引脚驱动，从而进一步提高设计灵活性。新型光耦符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

VOMDA1271现可提供样品并已实现量产，供货周期为8周。