长期以来，品质因数Q_g*R_DSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数导致产生了意外后果，在打开或关闭MOSFET时尖峰耐压升高，从而使得产生的电磁干扰(EMI)增加。确认这一新问题后，Nexperia立即开始研究如何改善其他工艺技术参数，以帮助解决此问题。Nexperia的不懈努力最终促成了NextPower 80/100 V MOSFET的发布。该器件的Q_rr（反向恢复电荷）较低，因此可显著降低开关转换期间的尖峰值，同时表现出与竞品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。

通过为高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封装系列，Nexperia不仅可以帮助设计人员缩小应用尺寸并体验到铜夹片封装的超强可靠性，而且还为设计工程师和客户提供了新的选择，希望为现有设计提供额外的资源。