相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（V_GS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在V_GS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（R_DS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的传导损耗。 

先进的扩散焊接芯片贴装工艺（.XT技术）显著改善了封装的热性能，相比第一代产品，SiC MOSFET的结温降低了25%。 

此外，这款MOSFET的爬电距离为5.89 mm，符合800 V系统要求并减少了涂覆工作量。为满足不同应用的需求，英飞凌提供一系列RDS(on)选项，包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ型。 

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其为中国OEM厂商提供的新一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球领先的汽车充电器系统供应商，通过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品，可满足各OEM厂商的要求及全球法规。 

英飞凌科技车规级高压芯片和分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“低碳化是这十年的主要挑战，让我们更有动力与客户一起推动汽车的电气化进程。因此，我们十分高兴能够与KOSTAL合作。这个项目突出了我们的标准产品组合在采用先进SiC技术的车载充电器市场中的强大地位。” 

KOSTAL ASIA副总裁兼技术执行经理Shen Jianyu表示：“英飞凌的新型1200V CoolSiC沟槽式MOSFET额定电压高、鲁棒性优异，是我们未来一代OBC平台的关键部件。这些优势有助于我们创造一个兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案，实现优化成本和大规模的市场交付。” 

供货情况

采用TO263-7封装的1200V CoolSiC™ MOSFET现已上市。