新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构^[2]。它们实现业界领先^[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。 

Ø  应用

-    开关电源

-    电动汽车充电桩

-    光伏逆变器 

Ø  特性

-    业界领先^[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）

-    低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）

-    低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）

Ø  主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年7月。

[2] JBS结构可降低肖特基界面处的电场，从而减小了漏电流。

[3] 截至2023年7月的东芝调查。