DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200V_DS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (V_gs) 为 +15/-4V，且在 15V_gs 时具有 75mΩ (典型值) 的 R_DS(ON)规格。此装置适用于 OBC、汽车马达驱动器、EV/HEV 中的 DC-DC 转换器以及电池充电系统。

DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200V_DS、+15/-4V_gs 的条件下运作，且在 15V_gs 时具有较低的 20mΩ (典型值) R_DS(ON)。此 MOSFET 适用于其他 EV/HEV 子系统中的马达驱动器、EV 牵引变流器及 DC-DC 转换器。凭借低 R_DS(ON) 的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列 MOSFET 能以较低的温度运作。

这两款产品均有低导热率 (R_θJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的汲极 (Drain) 电流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲极电流高至 100A。此系列也内建快速且稳健的本体二极管 (Body Diodes)，具有低反向复原电荷 (Q_rr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中为 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中为 317.93nC，因此能够执行快速切换，同时降低功率损耗。

Diodes 采用平面制造技术开发出全新 MOSFET，能在汽车产品应用中提供强大与可靠的效能，提高汲极电流、崩溃 (Breakdown) 电压、接面温度及功率环形电路，表现优于先前发布的版本。此系列装置采用 TO247-4 (WH 型) 封装，提供额外的凯氏感测 (Kelvin-sensing) 接脚。可连接至源极以优化切换效能，实现更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 与 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 标准，由 IATF 16949 认证的设施制造，并支持 PPAP 文件。