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该产品组合进行了重要扩充，新增了创新的 QDPAK顶部冷却（TSC）封装，能够在较小的封装尺寸内实现丰富的功能。这些特性使得该器件在低频开关应用中极具优势，同时还可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封装，这款器件的导通电阻值仅为 10 mΩ，在市场上同电压等级产品中以及采用SMD 封装的产品中属于最低值。CoolMOS S7/S7A 解决方案通过最大程度地降低 MOSFET 产品的导通损耗，提高了整体效率，并提供了一种简单易用且经济高效的方式来提高系统性能。

CoolMOS S7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，通过采用创新、高效的 QDPAK 封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 MOSFET产品还具有体二极管的稳健性，能够确保在交流线路换向期间可靠运行。

由于所需的元器件较少，CoolMOS™ S7系列高压超结（SJ）MOSFET能够减少零部件的数量，进而实现灵活的系统集成，降低BOM（材料清单）成本和总体拥有成本（TCO）。同时，该系列MOSFET 产品还能缩短反应时间，尤其在断开电流时，能够更加平稳、高效地运行。

供货情况 

用于静态开关的全新 600 V 工业级 CoolMOS S7 和车规级 CoolMOS S7A 超结MOSFET ，均提供顶部冷却（TSC）和底部冷却（BSC）QDPAK封装（PG-HDSOP-22）两种封装形式可供选择，新产品现已开放订购。