六款新产品具有较窄的栅极阈值电压（V GS(th)），支持并联 MOSFET设计，以增加输出功率能力。60 V MOSFET产品型号为IAUTN06S5N008、IAUTN06S5N008G 和 IAUTN06S5N008T；120 V MOSFET产品型号为IAUTN12S5N017、IAUTN12S5N018G 和 IAUTN12S5N018T 。120 V MOSFET 的导通电阻（RDS(on) ）为1.7 mΩ 至 1.8 mΩ，60 V MOSFET的导通电阻为0.8 mΩ。这使得60 V MOSFET非常适用于24V供电的大功率 CAV 应用或 xEV 应用中的高低压直流-直流转换器；120 V MOSFET 适用于两轮或三轮车及轻型电动汽车的48V-72V供电的牵引逆变器。

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