高效且强大的电动汽车充电系统有助于缩短充电时间、减轻汽车重量、提高设计灵活性并降低汽车的总体拥有成本。这一新产品系列通过顶部和底部冷却封装实现了多种功能和优势特性，是对现有CoolMOS CFD7A产品系列的有效补充。QDPAK TSC（顶部冷却）封装使设计人员能够实现更高的功率密度和更佳的PCB空间利用率。

650 V CooMOS CFD7A

650 V CoolMOS CFD7A提供了支持在高压应用中可靠运行的多项重要功能。由于降低了寄生电感，该器件可以最大程度地减少电磁干扰（EMI），确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度，即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离，以及在25°C温度环境下高达694 W的大电流能力和高功率耗散（Ptot）能力，是一款适用于各种高压应用的强大通用器件。

采用基于QDPAK TSC封装的650 V CoolMOS CFD7A器件，进行新系统设计，将最大限度地利用PCB空间，使功率密度加倍，并通过板级去耦加强散热管理。这种方法简化了装配、避免了电路板堆叠，并减少了对连接器的需求，从而降低了系统成本。该电源开关可降低高达35%的热阻，提供比标准冷却解决方案更优的高功率耗散能力。

该特性克服了在底部冷却SMD设计中采用FR4 PCB所带来的热限制，显著提高了系统性能。经过优化的电源环路设计将驱动器置于电源开关附近，通过降低杂散电感和芯片温度来提高可靠性。总之，这些特性有助于构建一个具有高成本效益、稳健、高效的系统，能够很好地满足现代化的充电需求。

正如2023年2月所宣布的，适合高功率应用的QDPAK TSC封装已注册为JEDEC标准，通过统一的标准封装设计和占板面积，推动TSC封装在新型设计中的广泛采用。为进一步加快这一转型，英飞凌还将于2024年发布更多用于车载充电器和DC-DC转换器的、采用QDPAK TSC封装的车规级器件，例如750 V CoolSiC™器件和1200 V CoolSiC™器件等。

供货情况

650 V CoolMOS CFD7A器件采用了QDPAK封装，共有两个版本，分别采用了顶部冷却（TSC）封装和底部冷却（BSC）封装两种形式。两个版本现在均可订购。