MOTIX_2ED27xxS01G

英飞凌的SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性， 以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管，可为外部高压侧自举电容供电，从而进一步降低系统级BOM成本。这些半导体器件采用紧凑型3 x 3 mm² VSON10封装，并且提供半桥（HB）和高边 + 低边（HS + LS）两种配置以及两种不同的拉/灌电流，可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。

2ED2732S01G和2ED2742S01G的拉电流为1 A，灌电流为2 A；2ED2738S01G和2ED2748S01G的拉电流为4 A，灌电流为8 A。所有产品的V_CC 和 V_B引脚均具有独立的欠压锁定（UVLO）功能，半桥产品还集成了击穿保护（STP）功能。此外，相关的JEDEC78/20/22测试表明，MOTIX 160 V解决方案完全满足工业应用要求。

供货情况

MOTIX 160V SOI低压电机控制解决方案现已上市。使用2ED2742S01G的EVAL-6ED2742S01QM1评估板也已上市。