这些霍尔效应锁存器的工作电压范围为 3V 至 27V,含 40V 负载突降保护。因此,这些锁存器能整合到各种汽车系统中。该系列器件采用斩波稳定(Chopper-Stabilized)设计,可降低热变化的影响并具有更好的抗杂散场干扰能力。器件启动时间通常为 13 微秒。
这些器件具有六种灵敏度可供选择,涵盖 25 高斯至 140 高斯,具有紧密的工作窗口和较低的开关点温度系数。不同灵敏度为工程师提供不同的磁工作点 (BOP) 和磁释放点 (BRP) 范围。因此,工程师可以根据感测距离和所用磁铁,做出最佳选择。当电压高于或低于供电电压时,漏极开路(Open-Drain)输出可提供更大的外部上拉灵活性。
AH371xQ 系列中的锁存器具有 8kV 人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 额定值。这些器件整合的保护功能包括反向阻断二极管、过流保护和过压钳位。
Diodes 公司全新符合汽车规格的霍尔效应锁存器符合 AEC-Q100 Grade 0 等级规范,由 IATF 16949 认证的设施制造,并支持 PPAP 文件。AH371xQ 系列采用 SOT23 (S 型)、SC59 和 SIP-3 (散装) 封装,其中 AH3712Q 也采用 U-DFN2020-6 (SWP) 封装。上述型号及霍尔效应传感器完整产品组合都可在霍尔效应传感器器件选择工具页面中查询。