新产品可在更大电流下提供更出色的开关性能，相比于最佳硅器件，其反向恢复电荷（Qrr）和漏源电荷（Qoss）降低了80%。通过降低开关损耗，该产品可在缩小系统尺寸的同时，实现开关频率，从而提高能效和功率密度。沟槽技术为实现卓越的栅极氧化层可靠性奠定了基础，加之经过优化的耐雪崩击穿能力和短路耐受能力，即使在恶劣环境中亦可确保极高的系统可靠性。SiC MOSFET不仅适用于连续硬换向情况，而且可以在高温等恶劣条件下工作。由于它们的导通电阻（RDS(on)）受温度的影响小，这些器件实现了出色的热性能。
由于具备较宽的栅源电压（VGS）范围，为-5 V至23 V， 支持0 V关断以及大于4 V的栅源阈值电压（VGS(th)），新产品可以搭配标准的MOSFET栅极驱动器IC使用。此外，新产品支持双向拓扑，具有完全的dv/dt可控性，有助于降低系统成本和复杂度，并且易于在设计中使用和集成。.XT互连技术大幅提高了封装的散热性能。与标准互连技术相比，.XT互连技术可额外耗散30%的损耗。英飞凌新推出的采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品，是市面上型号最齐全的产品系列之一。
供货情况
采用D2PAK 7引脚封装（TO-263-7）的650 V CoolSiC MOSFET系列新产品现已开放订购。
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