这个创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理固件和灵活存储数据，这种组合在以前是没有的。更高的存储器集成度可以减少终端产品的物料清单(BoM)成本，缩短上市时间，增加应用价值，并实现尺寸更小的超低功耗模块，从而延长电池使用寿命。这些器件非常适合实现多合一非易失性存储器，用于工业物联网模块、可穿戴设备、医疗健康、电子价签、智能表计和 5G 光纤模块等新系统设计。

作为一个全新的开发成果，串行页EEPROM 整合意法半导体的e-STM 40nm非易失性存储器(NVM)单元专利技术与新的智能存储页架构，兼备高存容量、字节擦写灵活性和高耐擦写次数，既有利于固件管理，又能简化数据记录。新产品还具有读取、擦除和写入时间短的特点，上传下载速度快可以降低制造成本，减少应用停机时间。快速上电和四路输出读操进一步加快应用唤醒速度。

集成这种新的简化的存储器可优化企业拥有成本，提高产品易用性，简化软件开发，提升产品可靠性。串行页 EEPROM是一个成本比 FRAM 更低的非易失性存储器解决方案，功耗比串行闪存（serial Flash）更低，功能和易用性比Dataflash产品更好。